您好!今天是2021年10月19日 星期二
加入收藏| 设为首页| 联系方式
网站首页
欢迎来到:中国科学院量子信息重点实验室
实验室概况
实验室介绍| 机构设置| 历史沿革| 联系我们
科研体系
固态量子计算研究单元| 量子纠缠网络研究单元| 量子集成光学芯片研究单元| 量子密码与量子器件研究单元| 量子理论研究单元
科研成果
研究进展| 获奖| 论文与专著| 专利
实验室成员
固定成员| 双聘人员| 博士后| 招聘信息
科普中心
郭光灿的量子十问 | 来自量子世界的新技术
研究生园地
研究生招生| 博士答辩
新闻中心| 公告通知| 学术报告| 媒体关注| 友情链接

首页栏目

当前位置:首页>首页栏目> 学术报告

学术报告


3月18日学术报告

发布时间:2016-03-16

报告人浙江师范大学统计物理与凝聚态理论研究中心 王一飞研究员  

地点:实验室一楼会议室

时间3月18号下午3:30

题目拓扑平带上的分数陈绝缘体 

摘要拓扑平带模型属于著名Haldane 模型的扩展版本;至少有一个能带具有非平庸的拓扑性质,即有非零

的陈数(Chern number);而且该能带的带宽很窄,且与其他能带间有较大能隙。通过对拓扑平带上强关联

相互作用体系的系统数值研究,发现了一类新奇的分数量子霍尔效应。新发现的分数量子霍尔效应不同于传

统朗道能级上的连续型分数量子霍尔效应,无须外加强磁场,有较大特征能隙,可在较高温度下存在,无需

单粒子朗道能级,不能用常规Laughlin 波函数描述。这些无外加磁场、无朗道能级的分数化现象,定义了

一类新的分数拓扑相,称为分数陈绝缘体,其中的分数量子霍尔效应也称为分数量子反常霍尔效应。该新

领域在近几年引起了国际凝聚态物理学界的研究热情与广泛关注。该报告将介绍我们在该领域的系列研究

工作:玻色子分数量子反常霍尔效应;非阿贝尔型量子反常霍尔效应;高陈数的分数量子反常霍尔效应;

分数陈绝缘体的边缘激发;分数陈绝缘体的波函数。

参考文献

1) Y. F. Wang, Z. C. Gu, C. D. Gong, and D. N. Sheng,Fractional Quantum Hall Effect of Hard-

Core Bosons in Topological Flat Bands,Phys. Rev. Lett. 107, 146803 (2011);
2) Y. F. Wang, H. Yao, Z. C. Gu, C. D. Gong, and D. N. Sheng,Non-Abelian Quantum Hall Effect

 in Topological Flat Bands,Phys. Rev. Lett. 108, 126805 (2012);
3) Y. F. Wang, H. Yao, C. D. Gong, and D. N. Sheng,Fractional Quantum Hall Effect in 

Topological Flat Bands with Chern Number Two,Phys. Rev. B 86, 201101(R) (2012);
4) W. W. Luo, W. C. Chen, Y. F. Wang, and C. D. Gong,Edge excitations in fractional Chern 

insulators,Phys. Rev. B 88, 161109(R) (2013);
5) A. L. He, W. W. Luo, Y. F. Wang, and C. D. Gong,Wave functions for fractional Chern 

insulators in disk geometry,New J. Phys. 17, 125005 (2015)(Focus on Topological Physics)
报告人简介
  王一飞,浙江师范大学统计物理与凝聚态理论研究中心特聘教授、研究员。2001年于南京大学理科

强化部获理学学士学位,2006年于南京大学物理系获理学博士学位,2008年到浙江师范大学工作。先后

在香港浸会大学、香港大学、香港中文大学、美国加州州立大学北岭分校短期学术访问。专注于强关联

体系中拓扑序与分数化的理论研究与数值计算,在Phys. Rev. Lett.,Phys. Rev. B,New J. Phys. 

等期刊发表研究论文20篇。