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学术报告


8月7日报告

发布时间:2015-08-05
报告题目:Optimization of Nanoscale Devices with Quantum Simulation
报告人:王豪 博士(武汉大学)
时间:8月7日下午3:00
地点:实验室一楼会议室
摘要:The talk will begin with an introduction of the theory and numerical implementation of quantum simulation framework of non-equilibrium Green’s function (NEGF). And then a brief review on our recent activities utilizing NEGF method will be presented including: 1) Cross-sectional shape effects in extremely scaled nanowire devices with EMA and DFTB simulation; 2) Barrier controlled tunnel FET (BC-TFET) with both gate work function engineering and doping engineering; 3) Tunnel FET optimization with gate oxide engineering. It is shown that SNWs with triangular cross section shape are very competitive due to a smaller average conductivity effective mass ascribed to the valley splitting at extremely scaled size. A negative impact on the band to band tunnel of high-κ material (or enhancement of low-κ material) is analyzed and explained.
报告人简介:
王豪,男,河南泌阳人。19999月进入武汉大学物理学院学习,于200320062009年分别获得工学学士、硕士、博士学位。毕业后留校工作。20114月至201210月期间,作为博士后助理研究员,于香港科技大学电子与计算机工程系从事半导体器件模型与模拟的研究。20147月加入武汉大学物理科学与技术学院。主要研究方向为,新型纳米器件的量子输运方法和结构优化。基于非平衡格林函数法,实现新型微纳器件(纳米线器件、碳纳米管器件等)的数值模拟,研究器件的电学特性,对物理效应进行分析,对结构参数进行改进和优化。