您好!今天是2021年10月19日 星期二
加入收藏| 设为首页| 联系方式
网站首页
欢迎来到:中国科学院量子信息重点实验室
实验室概况
实验室介绍| 机构设置| 历史沿革| 联系我们
科研体系
固态量子计算研究单元| 量子纠缠网络研究单元| 量子集成光学芯片研究单元| 量子密码与量子器件研究单元| 量子理论研究单元
科研成果
研究进展| 获奖| 论文与专著| 专利
实验室成员
固定成员| 双聘人员| 博士后| 招聘信息
科普中心
郭光灿的量子十问 | 来自量子世界的新技术
研究生园地
研究生招生| 博士答辩
新闻中心| 公告通知| 学术报告| 媒体关注| 友情链接

首页栏目

当前位置:首页>首页栏目> 学术报告

学术报告


6月17日报告

发布时间:2015-06-16
报告题目:Electronic devices of two-dimensional semiconductors - from atomic to molecular
报告人:南京大学王欣然教授

时间:6月17日(周三)下午2:30


摘要:Two-dimensional materials (including graphene, MoS2, etc.) represent a promising class of materials for electronic and photonic devices, benefiting from their unique properties such as extremely high mobility and ultrathin body. In this talk I will present our works on electronic devices based on 2D atomic and molecular semiconducting crystals. 
    In the first part, we provide direct evidence that sulfur vacancies exist in exfoliated MoS2, introducing localized midgap donor states. At low carrier density, the charge transport in MoS2 is by electron hopping through these localized states, leading to much lower mobility than theoretical expectations and insulating behavior. We develop a facile low-temperature thiol chemistry to repair the sulfur vacancies and improve the interface, resulting in significant reduction of the charged impurities and traps in MoS2. High mobility greater than 80cm2 V-1 s-1 is achieved in backgated monolayer MoS2 field-effect transistors for the first time. We further develop a theoretical model to quantitatively extract the key microscopic quantities that control the transistor performances, including the density of charged impurities, short-range defects and traps. 

    In the second part, we demonstrate that high-quality few-layer dioctylbenzothienobenzothiophene molecular crystals can be grown on graphene or boron nitride substrate via van der Waals epitaxy, with precisely controlled thickness down to monolayer, large-area single crystal, low process temperature and patterning capability. As a result of the pristine crystal and interface quality, monolayer dioctylbenzothienobenzothiophene molecular crystal field-effect transistors on boron nitride show record-high carrier mobility up to 10cm2V-1s-1. Our work unveils an exciting new class of two-dimensional molecular materials for electronic and optoelectronic applications.


个人简介
王欣然,1981年生,南京大学电子科学与工程学院教授,博士生导师,国家杰出青年基金获得者,教育部长江学者特聘教授。2004年本科毕业于南京大学物理系,2010年获得斯坦福大学物理学博士学位。2010-2011年先后在美国斯坦福大学和伊利诺伊大学香槟分校做博士后研究员。2011年入选首批“青年千人计划”,全职回到南京大学。主要研究方向是低维材料与信息器件,在二维结构体系的制备、调控、物性、器件等方面开展了系统性工作,ScienceNatureNature子刊等顶级学术期刊发表10余篇学术论文,论文总引用次数超过10000次。目前担任Scientific Reports期刊编委,以及Nature Nanotech., Nature Comm., Adv. Mater.等学术期刊的特约审稿人,2014年担任江苏省第五届青年科学家年会执委会主席。2014年获得“江苏青年五四奖章”以及“中国侨界贡献奖”。