您好!今天是2018年11月17日 星期六
加入收藏| 设为首页| 联系方式
网站首页
欢迎来到:中国科学院量子信息重点实验室
实验室概况
实验室介绍| 机构设置| 历史沿革| 联系我们
科研体系
固态量子计算研究单元| 量子纠缠网络研究单元| 量子集成光学芯片研究单元| 量子密码与量子器件研究单元| 量子理论研究单元
科研成果
研究进展| 获奖| 论文与专著| 专利
实验室成员
固定成员| 双聘人员| 博士后| 招聘信息
科普中心
郭光灿的量子十问 | 来自量子世界的新技术
研究生园地
研究生招生
新闻中心| 公告通知| 学术报告| 媒体关注| 友情链接

首页栏目

当前位置:首页>首页栏目> 学术报告

学术报告


10月16日黄维报告

发布时间:2018-10-15

报告时间:10月16日 周二  下午3:00

报告地点:实验室一楼会议室

报告人:黄维 副研究员(上海硅酸盐所)

报告题目: 碳化硅单晶主要应用及其生长加工技术简介

报告摘要: 

     报告介绍了第三代宽禁带半导体SiC单晶的主要应用及对应的材料制备技术。SiC单晶具有优异的导热性能,非常适合于制备功率电力电子器件。目前国际主要的功率器件厂商如英飞凌、罗姆等均推出了性能优异的SiC功率器件,并给出了替代传统Si 功率器件的完整解决方案。目前市售的SiC单晶材料主要针对功率器件应用。随着近年在SiC单晶中发现了很多高质量室温单光子源,使量子通讯、量子计算等应用成为SiC单晶新的重要应用方向。由于晶圆级的SiC单晶材料较金刚石制备技术更为成熟,且已有较为成熟的半导体微纳加工技术,有望实现SiC基单光子源的批量可控制备。针对上述不同的应用需求,介绍了SiC单晶在单晶生长制备、加工方面的各种技术。


报告人简介: 

     黄维,男,博士,中科院上海硅酸盐研究所副研究员。2011年毕业于中科院上海硅酸盐研究所,获材料学博士学位。主要从事高功率SiC光电材料及开关器件相关研究工作。作为项目负责人承担了国家自然科学基金、上海市自然科学基金、中国科学院项目、硅酸盐所创新项目、及中国工程物理研究院、国防科大、航天八院等单位委托研制项目等10多项。发表学术论文20余篇,授权国内发明专利7项。