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报告时间：10月16日 周二  下午3:00

报告地点：实验室一楼会议室

报告人：黄维 副研究员（上海硅酸盐所）

报告题目： 碳化硅单晶主要应用及其生长加工技术简介

报告摘要： 

     报告介绍了第三代宽禁带半导体SiC单晶的主要应用及对应的材料制备技术。SiC单晶具有优异的导热性能，非常适合于制备功率电力电子器件。目前国际主要的功率器件厂商如英飞凌、罗姆等均推出了性能优异的SiC功率器件，并给出了替代传统Si 功率器件的完整解决方案。目前市售的SiC单晶材料主要针对功率器件应用。随着近年在SiC单晶中发现了很多高质量室温单光子源，使量子通讯、量子计算等应用成为SiC单晶新的重要应用方向。由于晶圆级的SiC单晶材料较金刚石制备技术更为成熟，且已有较为成熟的半导体微纳加工技术，有望实现SiC基单光子源的批量可控制备。针对上述不同的应用需求，介绍了SiC单晶在单晶生长制备、加工方面的各种技术。

报告人简介： 

     黄维，男，博士，中科院上海硅酸盐研究所副研究员。2011年毕业于中科院上海硅酸盐研究所，获材料学博士学位。主要从事高功率SiC光电材料及开关器件相关研究工作。作为项目负责人承担了国家自然科学基金、上海市自然科学基金、中国科学院项目、硅酸盐所创新项目、及中国工程物理研究院、国防科大、航天八院等单位委托研制项目等10多项。发表学术论文20余篇，授权国内发明专利7项。